タングステンターゲット

スパッタリング、という點では、展示に99％以上、100μm以下、20 ppmまたは以下の500 MPa以上＆以上の偏向力の酸素コンテンツの平均結(jié)晶粒徑の相対密度を特徴焼結(jié)タングステンターゲット半およびメソッド安定性原料タングステン粉末の改善、生産條件を使用して、改善焼結(jié)條件を、低コスト、でタングステンターゲットを準備するため。焼結(jié)タングステンターゲットは、密度の高い、従來の圧力焼結(jié)法によって達成されてない著しく偏向力で、その発生が大幅に減少したが改善される結(jié)晶構(gòu)造の細かさの高い學位を持ってパーティクル欠陥の。

素材： タングステン
サイズ：Thinkness( <20mm) xWideth (<300mm) x Longth(500mm)
條件：グランド
アプリケーション：PVDコーティング業(yè)界、X線管のように。